三星全球首發量產第九代QLC快閃記憶體：一顆1Tb、寫入提升100％

三星電子官方宣布已經開始大量生產第九代QLC V-NAND，單顆容量1Tb(128GB)。就在今年4月三星開始量產第九代TLC V-NAND，二者只間隔4個月。

三星第九代QLC NAND快閃記憶體加入了多項創新：

一是通道孔蝕刻(Channel Hole Etching)。
採用雙堆疊架構，實現了目前業界最高的單元堆疊層數(具體未公開)。同時優化儲存單元面積、外圍電路，位密度比上代提升約86％。

二是預設模具(Designed Mold)。
可調整、控制儲存單元的字線(Word Line)間距，確保同一單元層內、單元層之間的儲存單元的特性保持一致，達到最佳效果，資料保持效能提升約20％，增強了可靠性。

三是預測程式(Predictive Program)。
能夠預測、控制儲存單元的狀態變化，盡可能減少不必要的操作，寫入效能增加一倍，資料輸入/輸出速度提升60％。

四是低功耗設計(Low-Power Design)。
降低了驅動NAND儲存單元所需的電壓，只感測必要的位元線(Bit Line)，資料讀取功耗約分別下降了約30％、50％。

三星第九代QLC V-NAND快閃記憶體將首先用於消費性電子產品，然後逐步在UFS、PC、伺服器領域鋪開。

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