台積電將於今年底接收ASML高數值孔徑EUV設備，耗資高達3.5億美元

台灣龍頭台積電將於2024年底從ASML獲得首批高數值孔徑EUV光刻設備，標誌著下一代製程的過渡。

高NA設備的使用現在被視為晶片製造商的溢價，看起來半導體競賽中的三龍頭的三星、Intel和台積電都希望獲得ASML的高NA設備。有趣的是最初據說台積電沒有計劃收購ASML的高NA技術，主要是因為在台積電台灣工廠整合設備和安置機器的成本很高。但先前的報告透露台積電的高NA計畫正在步入正軌，因為它渴望維持產業平衡。

日經亞洲報導稱台積電的高NA設備預計今年交付，這家台灣龍頭可能是首批獲得該設備的公司之一。據稱台積電將接收ASML的Twinscan EXE:5000 High-NA光刻設備，該設備解析度為8nm，EUV光波長為13.5nm。該系統將使晶片製造商能夠生產尺寸縮小1.7倍的晶片，電晶體密度將提高2.9倍。 ASML表示Twins可以EXE:5000擁有業界最高的生產力，因此對於這家台灣龍頭來說，獲得高NA的上手絕對是贏家。

然而一個有趣的事實是台積電單台機器的成本就高達約3.5億美元，這確實是一個龐大的數字。另外台積電的高NA EUV將在1.4nm（A14）製程上大顯身手，並計劃於2027年量產。

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