突破性進展！三星400層NAND快閃記憶體開發完成：最快2025年第二季末量產

根據媒體報導三星已成功開發出突破性的400層堆疊NAND Flash快閃記憶體技術，並已開始將該技術轉移到大規模生產線。這項進展可望超越前不久已宣布量產321層NAND Flash的SK Hynix。

三星計劃在2025年國際固態電路會議（ISSCC）上詳細介紹其1Tb容量400層堆疊TLC NAND Flash，並預計2025年下半年開始量產。市場專家預測如果進程加快，量產可能在2025年第二季末開始。

除了400層NAND Flash快閃記憶體，三星也計畫增加其先進記憶體產品線的產量，包括在平澤園區安裝新第9代（286層堆疊）NAND Flash快閃記憶體生產設施，月產能為30000至40000片晶圓。

以及在中國西安工廠將128層堆疊（V6）NAND Flash快閃記憶體生產線轉換為236層堆疊（V8）NAND Flash快閃記憶體產品製程。目前三星在全球NAND Flash快閃記憶體市場市佔率為36.9%，面對SK Hynix的競爭，三星的這項突破顯得格外重要。

消息來源