三星電子：Q1開始供應供應改良版HBM3E

預計從第二季度開始，三星電子改良版HBM3E的供應量將迎來全面增長，這一趨勢與美國政府實施的尖端半導體出口管制政策緊密相關。該政策促使客戶需求逐步向改良版HBM3E轉移，儘管這在一定程度上可能暫時抑制了HBM的整體需求。

然而，值得注意的是，從第二季度起，對12層HBM3E的需求預計將迅速增加，增速甚至可能超過先前的預期。有鑑於此，三星電子已製定計劃，旨在將今年全年的HBM bit供應量擴大至去年的兩倍，以確保充分滿足市場需求。

另外，知情人士透露，三星電子已成功獲得向英偉達供應其8層HBM3E高頻寬記憶體晶片的許可。儘管在HBM技術領域，三星電子仍面臨來自SK海力士和美光科技等強勁對手的競爭壓力，但這一進展無疑標誌著三星電子在該領域邁出了重要一步。

三星電子在HBM領域的這些積極動作和規劃，無疑將進一步推動公司在半導體晶片市場的競爭力和發展勢頭。

不過，挑戰依然存在。三星電子高層指出，儘管2024年第四季HBM銷售額實現了190%的環比成長，但仍未達到預期水準。而進入2025年第一季，HBM營收預計將出現下滑，且需求的不確定性增加。未來HBM的需求走勢將主要取決於GPU產品的供應狀況以及美國出口管制政策的具體影響。

儘管如此，三星電子仍對HBM市場的未來發展持樂觀態度，並預計需求將在2025年第二季恢復成長。為此，公司已設定目標，今年HBM的供應量要實現比去年翻倍的壯舉。

此外，儘管記憶體和IT市場充滿不確定性，三星電子仍堅定表示，將繼續投資於尖端記憶體技術的研發，以鞏固和擴大其在該領域的領先地位。

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