誓要提升良率！三星重新調整1cnm DRAM設計：確保HBM4量產

根據韓國媒體報導三星電子正在重新調整其第六代1cnm DRAM的設計，以提升良品率，確保其HBM4的量產。

三星的1cnm DRAM自開發以來一直面臨良品率問題，2024年末的試產並未達到預期效果，大規模生產準備階段的良品率通常在60%至70%左右。為了提升良品率，三星決定調整設計，核心電路線寬保持不變，而外圍電路線寬的要求則被放鬆，這一調整預計將顯著提升良品率，確保HBM4的穩定量產。

三星的目標是在2025年6月開始量產1cnm DRAM，為HBM4的生產鋪平道路，HBM4是三星未來記憶體業務的重要組成部分，因此確保1cnm DRAM的良品率對於三星的競爭力至關重要。

競爭對手SK Hynix預計最快在2025年2月開始量產1cnm DRAM晶片，將成為全球首家運用1cnm製程生產DRAM晶片的記憶體供應商。

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