Kioxia和Sandisk推出新一代3D快閃記憶體技術，實現4.8Gb/s NAND速度

鎧俠株式會社 (Kioxia Corporation) 和閃迪株式會社 (Sandisk Corporation) 率先推出了一項最先進的3D快閃記憶體技術，以4.8Gb/s的NAND速度、卓越的能效和更高的密度樹立了業界標竿。

用於NAND快閃記憶體的Toggle DDR6.0，利用了SCA（單獨命令位址）協定和PI-LTT技術，有助於進一步降低功耗。利用這項獨特的高速技術，兩家公司預計新型 3D快閃記憶體的NAND速度將比目前量產的第8代3D快閃記憶體提高33%，達到4.8Gb/s的速度。此技術還能提升資料輸入輸出的功率效率，使輸入功耗降低10%，輸出功耗降低34%，達到高效能與低功耗的平衡。在預覽第十代3D快閃記憶體時，兩家公司詳細介紹了透過將記憶體層數量增加到332層並優化平面規劃以增加平面密度，該技術可將位元密度提高59%。

Kioxia和Sandisk也分享了即將推出的第9代3D快閃記憶體的計畫。憑藉其獨特的CBA技術，這些公司可以將新的CMOS技術與現有的儲存單元技術相結合，以提供資本高效、高效能、低功耗的產品。兩家公司均致力於開發尖端快閃記憶體技術，提供滿足客戶需求的客製化解決方案，為數位社會的進步做出貢獻。

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