中國研發出國產EUV設備，ASML壟斷陷入困境

中國本土的極紫外線（EUV）光刻技術發展還遠遠不是一個遙遠的夢想。最新系統目前正在華為東莞工廠進行測試，該系統採用雷射誘導放電等離子體 (LDP) 技術，代表了一種具有顛覆性的EUV光生成方法。該系統計劃於2025年第三季進行試生產，並計劃於2026年實現量產，這有可能幫助中國打破ASML在先進光刻技術方面的壟斷。中國系統採用的LDP方法透過蒸發電極之間的錫並透過高壓放電將其轉化為等離子體來產生13.5nm的EUV輻射，其中電子離子碰撞產生所需的波長。與ASML 的雷射產生等離子體 (LPP) 技術相比，該方法有多種技術優勢，包括簡化的架構、減少的面積、提高的能源效率以及潛在的降低生產成本。

LPP方法依靠高能量雷射和採用FPGA的複雜即時控制電子設備來實現相同的結果。儘管ASML經過數十年的改進，其採用LPP的系統仍能發揮LDP方法固有的效率優勢，加速中國在這項關鍵半導體製造技術上的追趕。當美國對中國公司的EUV出貨量實施制裁時，中國半導體的發展基本上受到限制，因為標準深紫外線 (DUV) 波光刻系統利用248nm (KrF) 和193nm (ArF) 波長進行半導體圖案化，而193nm浸沒式技術代表了最先進的EUV前生產技術。這些較長的波長與EUV的13.5nm輻射形成對比，需要多種圖案化技術才能實現先進製程。

不過華為的這套系統仍然必須回答有關解決能力、吞吐量穩定性以及與現有半導體製造流程的整合的問題。然而替代性EUV微影工具的商業化將挑戰ASML的地位。 ASML最新的High-NA EUV工具售價約為3.8億美元。無論中國研發中心的成本如何，華為的EUV機器都將為舊款DUV掃描儀提供急需的升級途徑，而舊款DUV掃描儀之前限制了國內晶片的生產。儘管中國在IP開發方面做得不錯，但製造進度有限，但很快就會迎來DeepSeek時刻。中芯國際等領先晶圓廠正在與華為合作，將 EUV掃描儀整合到現有的工作流程中。完善的半導體製造工作流程需要花費數年時間來建立，所以我們必須看看最終的結果是什麼。

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