SK Hynix 1c DRAM技術良率大幅提升，達80%，下一步將進入量產階段

SK Hynix的1c DRAM模組實現了驚人的成品率，使這家韓國龍頭成為該領域的主導力量。

SK Hynix似乎已經成功超越了其他競爭對手。該部門專注於推出HBM4記憶體模組，因為據說該標準將帶來運算能力的下一次革命。根據韓國媒體Hankooki報導SK Hynix已大幅提升了1c DRAM的良率，這意味著該公司可以在消費級記憶體和HBM領域佔據優勢，不過預計該公司將更多地利用後者。

據稱10nm第六代DRAM的良品率現已達到80%-90%，這在短時間內是一個巨大的進步，因為早在2024年下半年該公司的良品率就達到60%。由於該公司目前專注於HBM4的生產，我們預計採用1c的DDR5記憶體解決方案不會很快進入市場。然而我們可以看到DRAM技術在HBM4上的應用，很可能是更優越的HBM4E。

由此可見SK Hynix已超越三星，暫時佔據DRAM領域的技術領先地位。儘管三星開發自己的1c DRAM模組已有相當一段時間，但該公司仍然發現難以掌握，因為最近我們報導了他們如何重新評估1c DRAM模組以實現更好的成品率。 SK Hynix將成為第一家開始量產HBM4的公司，遙遙領先競爭對手，而且差距似乎還會繼續擴大。

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