中國長鑫儲存科技股份有限公司(CXMT)已完成LPDDR5X記憶體的開發階段,正積極嘗試縮小與三星之間的技術差距。這項消息無疑為三星記憶體部門敲響了警鐘,因為最新報告指出這家韓國龍頭已全力投入下一代LPDDR6記憶體晶片的開發,據稱該晶片將提供更高的頻寬,同時降低功耗。
爆料人@Jukanlosreve看到的商業郵報一篇報導長鑫儲存今年已開始研發LPDDR6記憶體晶片。業內觀察人士推測,以目前的速度,這家中國製造商最快可能在2026年就實現全面量產。三星不甘落後,加快了自主研發LPDDR6記憶體技術的步伐,其優勢在於這些記憶體晶片將採用該公司先進的1c DRAM製程製造。
來自上述架構的記憶體晶片的量產,應該會讓三星在與中國廠商的競爭中佔據顯著優勢。 LPDDR6 RAM預計將成為人工智慧、行動運算、機器人技術和自動駕駛汽車等各種應用的重要組成部分。量產DRAM分為多種技術,1x代表第一代,1c代表第六代。隨著每一代技術的更新,廠商都能突破一定的性能和效率上限。
據報導高通將成為首家在其產品中搭載三星LPDDR6 RAM晶片的客戶,其即將推出的驍龍8 Elite Gen 2將立即支援該技術,這款SoC預計將於9月23日舉行的驍龍高峰會上亮相。報告中並未提及其他潛在客戶,但考慮到LPDDR6 RAM的優勢,其他客戶很快就會開始下單,屆時三星將顯著領先於長鑫儲存。
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