Intel備受期待的18A製程實現了創紀錄的低缺陷密度，已為內部和外部客戶提供了準備就緒

Intel在技術巡展上展示了18A晶片的進展，並聲稱該製程的缺陷密度達到了歷史最低水平。

180製程有望成為Intel代工廠自成立以來最重要的發布之一，主要是因為這一次Intel的晶片製造能力正受到政界和商界的嚴格審查，這意味著Intel團隊需要確保最終解決方案能夠勝任。我們原本期待18A製程的細節，而根據Intel在ITT主題演講中討論的內容，我們得知18A製程目前缺陷密度處於最低水平，預計第四季將實現量產。

現在這對於18A製程來說至關重要，因為它表明該製程在量產和產量可擴展性方面逐漸具備競爭力。對於那些不熟悉缺陷密度的人來說，它指的是晶片晶圓上單位面積的缺陷數量，這些缺陷可能導致產品無法正常工作，干擾電晶體、互連，從而妨礙電路運作。更高的缺陷密度意味著更大的晶片尺寸可能會受到影響，這對於像 18A這樣的製程來說並非最佳選擇，因為18A被視為大規模晶片封裝的解決方案。

在此缺陷密度必須處於歷史最低水平，因為它直接預示著我們預期的良率水準。 18A良率的數據隨著時間的推移發生了巨大變化，一些媒體聲稱其低至10%。然而目前這樣的數字不太可能實現，尤其是在Intel決定加大18A製程的量產力度之後。較低的缺陷率使Intel團隊能夠支援更大的晶片設計，從而滿足HPC等市場的需求。

缺陷密度並不能完全代表18A製程的全部情況，因為還必須考慮其他參數，例如參數故障、遮罩錯誤和製程裕度。然而如果要估算特定製程的產量，缺陷密度至關重要。由於IFS製程已成功大幅降低缺陷密度，我們預期該晶片將有競爭力，並有可能與台積電的N2製程或三星的SF2製程等競爭。

消息來源

18a=4nm pass