Intel 聯手軟銀子公司 SAIMEMORY 開發 ZAM 新型記憶體，突破 AI DRAM 困境

英特爾（Intel）宣布與軟銀（SoftBank）旗下子公司 SAIMEMORY 達成合作，共同開發名為「Z-Angle Memory (ZAM)」的新型記憶體技術；雙方將聚焦下一代 DRAM 架構，旨在滿足人工智慧（AI）與高效能運算（HPC）環境下急遽增長的資料處理需求。

總部位於東京 SAIMEMORY 致力研發疊層 DRAM 架構。該技術目標在於超越現有的高頻寬記憶體（HBM）標準，透過大幅擴增容量並降低功耗，有效解決 AI 系統擴充過程的效能瓶頸。

在此次合作中，英特爾將出任技術與標準定義合作夥伴，SAIMEMORY 則主導技術研發與 ZAM 的商業化進程。雙方預計於 2026 年第一季啟動計畫，2027 年推出原型設計，並力爭在 2030 年達成商用化目標。

此計畫的技術根基之一，源自英特爾與桑迪亞國家實驗室（Sandia National Laboratories）長期合作的「下一代 DRAM 鍵結（NGDB）」技術；官方指出，傳統 HBM 往往需在頻寬與容量之間做出權衡，而 NGDB 技術旨在消除此種限制，彌合 HBM 與傳統 DDR DRAM 之間的效能鴻溝，實現更高的能源效率。

英特爾強調，NGDB 展現了創新的記憶體架構與革命性的組裝製程，不僅能顯著優化 DRAM 效能與成本，更將為低功耗儲存方案帶來轉型契機。

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