PR：三星電子開始交付業內首批HBM4E樣品

全球領先的先進儲存技術公司三星電子今日宣布已開始向全球主要客戶交付業界首批12層HBM4E樣品，進一步鞏固了其在下一代HBM市場的領先地位。

繼今年稍早率先實現業界領先的HBM4的量產和商業化交付之後，三星此次推出HBM4E樣品，進一步拓展了其HBM產品路線圖，以滿足人工智慧運算和超大規模基礎設施快速發展的需求。
  

三星電子執行副總裁兼記憶體開發負責人黃相俊表示：繼HBM4成功量產之後，三星再次憑藉HBM4E展現了其獨特的技術優勢。憑藉我們先進的製造能力和前瞻性的基礎設施投資，我們將繼續推動全球人工智慧記憶體市場的成長。

三星的HBM4E可提供穩定的14Gbps針腳傳輸速度，效能可擴展至16Gbps，以滿足日益增長的資料處理需求。與HBM4相比，其效能提升超過20%，同時每個堆疊的記憶體頻寬高達3.6TB/s，有助於最大限度地提升大型語言模型（LLM）和下一代人工智慧系統的運算效能。

三星的12層HBM4E提供48GB的容量，比上一代產品提升超過30%，併計劃根據客戶需求擴展產品線，推出32GB（8層）和64GB（16層）的配置。 HBM4E的優勢在於充分利用了三星全面的半導體製造能力，並採用了該公司在HBM4生產經驗中不斷改進的領先技術。這包括業界最先進的第六代10奈米(nm)級DRAM製程(1c)和三星晶圓代工的4nm邏輯基片，從而使HBM4E擁有更高的製程穩定性和可製造性。

三星HBM4E的記憶體和邏輯架構的設計和製程最佳化也提升了效能、能源效率和良率。特別是先進的低功耗設計技術和最佳化的封裝結構使能源效率比上一代產品提高了16%，熱阻特性提高了14%以上。這些改進還實現了更高效的散熱，從而在下一代高負載資料中心中實現了更長的可靠性和更低的能耗。

三星計劃在完成首批樣品交付和優化後，根據客戶的進度安排開始HBM4E的量產。自今年2月推出以來全球客戶對三星HBM4的回饋非常積極，尤其是在性能和​​能源效率方面。 HBM4是業界首款實現量產的晶片，並在系統級封裝（SiP）測試中以11.7Gbps的速度成功樹立了產業標竿。

隨著三星HBM4穩定供應的持續成長，採用相同核心晶片和基片組合的最新HBM4E晶片預計也將投入量產，進一步加速下一代人工智慧系統的創新。憑藉涵蓋記憶體、晶圓代工、邏輯設計和先進封裝的全面產品組合，三星將繼續確保為蓬勃發展的人工智慧市場提供穩定的半導體供應。

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