Intel 18A-P將首次搭載Power Boost技術，可在相同晶片尺寸下實現更高頻率

Intel正在分享其18A-P製程技術的更多細節，預計該技術將獲得一些重要的客戶支援。

半導體製造是一個極其艱難的行業，Intel正全力以赴，透過加速開​​發先進的製程和封裝技術，使其晶圓代工能力達到標準。鑑於其在18A製程方面取得的巨大進展，以及圍繞其下一代製程技術（例如14A）的廣泛關注，Intel晶圓代工能力正在穩步提升。但他們仍需向客戶證明自身實力。

因此Intel並不急於求成。當然客戶希望盡快看到最新、最好的產品推出，但Intel正在為客戶提供一些獨特的產品，一種專為他們設計的製程，它採用其成功的18A產品之一——18A-P。

Intel的18A-P製程先前已有所預告，今天在VLSI 2026大會上Intel正式公佈了這一關鍵製程的全貌。Intel確認18A-P已進入量產階段，並帶來了許多新功能，例如 Power Boost 技術。

首先來看細節，我們來看看效能和功耗的提升。Intel18A-P在相同功耗下效能提升9%，或在相同效能下功耗降低18%（採用標準ARM核心子模組），與18A相比。它採用相同的GAA和後端電源架構，並與Intel18A完全相容，從而可以重複使用現有的IP和設計流程。

Intel宣稱18A-P的低電壓效能提升對節能型人工智慧、高效能運算 (HPC) 和新興運算應用來說意義重大。此外18A-P還導入了材料創新，在使用增強型EDA工作流程時，其熱阻可提升20%至40%。矽通孔電阻也提升了10%至30%。

現在來談談全新的Power Boost功能，Intel稱之為業界首個採用新型雙觸點架構的實現方案，該架構利用PowerVia背面供電技術，同時為NMOS和PMOS電晶體供電。憑藉此功能18A-P晶片在保持相同尺寸的同時，為功耗受限的應用提供更佳的性能。 18A-P晶片提供160nm和180nm兩種製程的電晶體單元。

另一個重點領域是改進背面供電。透過背面供電，Intel可以將主要的電源佈線轉移到晶圓背面，從而降低正面互連的壓力，減少擁塞。借助背面供電，Intel可以實現11%的面積縮減，同時縮短導線長度並減少過孔數量。Intel 18A-P晶片繼續採用背面供電技術，並結合32nm金屬製程，從而實現更具成本效益的設計，並減少下一代晶片的製造步驟。

在2026年台北國際電腦展（Computex 2026）上，Intel正式發表了其下一代Xeon處理器Diamond Rapids ，該處理器將採用18A-P製程製造。這再次表明Intel對其客戶的信心，即其製程技術不僅適用於外部晶片，也適用於自身正在開發的晶片。

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