IBM全球首發0.7nm製程晶片

藍色巨人再次發威！IBM正式發表了全球首款1nm以下製程晶片，準確地說是0.7nm，相當於7埃米，正式邁入埃米時代。

它的面積僅指甲大小，但整合了多達1000億顆電晶體，幾乎是IBM於2021年同樣全球首發2nm製程晶片的兩倍。

根據IBM公布之數據，效能相較2nm製程晶片提升高達50%，能效更是飆升70%。另外，IBM之前發表的研究結果顯示，奈米堆疊架構可以將SRAM的面積縮小40%。

為達成如此先進製程與超高密度，IBM應用了一系列結構與材料方面的創新，例如首創的3D奈米堆疊架構（3D Nanostack），從而不僅僅縮小了電晶體尺寸，還重建了底層設計與製造邏輯。

Nanostack於業界首次實現了奈米片（Nanosheet）的3D立體堆疊，將電晶體垂直交錯、分層堆疊，並藉助3D序列整合技術，於同等面積晶圓上容納更多電晶體。同時，每一層堆疊結構皆可搭配不同的材料組合，獨立優化不同電晶體的效能、功耗，互不影響。

透過CMOS製程超薄介質鍵結、雙通道元件工程驗證、標準CMOS反相器完整開關功能測試等，IBM於實驗層面完成了奈米堆疊架構的可行性驗證。結果證明，奈米堆疊製程可以投入實際產品的量產，但是，預計最快也需要5年左右時間。

此外，IBM亦將成立全球首家純量子晶圓代工企業Anderon，作為獨立子公司，憑藉IBM雄厚技術實力，為客戶尤其是美國晶片企業提供代工服務。

雖然如今的製程節點已經不代表真實的物理線寬，但此足以說明，當電晶體尺寸逼近原子量級的時候，依然可以透過深度技術改良來達成，並實現效能與能效的持續躍升。

IBM自信表示，奈米堆疊結構可以支撐未來至少10年的製程換代升級，IBM亦即將首次引進最先進的高數值孔徑極紫外光（High-NA EUV）曝光設備。

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