HBM缺貨促使AMD推出首款整合記憶體的SoC，其電路板尺寸縮小60%，運算效能提升10倍

AMD發布了首款採用封裝內記憶體解決方案的SoC—— Versal Gen 2，可提供10倍的運算效能提升。

Versal Gen 2的發布標誌著AMD首款採用封裝內記憶體解決方案的SoC。與Versal Gen 1相比，此次轉向LPDDR5X記憶體正值整個科技產業面臨DRAM短缺之際，而HBM產品的價格也持續飆升，AMD卻選擇在晶片封裝內直接提供LPDDR5X記憶體。

Versal Gen 2最多可搭載四顆LPDDR5X IC，容量高達32GB，速度高達9000MT/s，頻寬高達288GB/s。 MoP設計的其他主要優點包括：電路板面積減少60%，使用壽命延長至15年以上，以及運算效能提升10倍。

轉向MoP（封裝封裝）技術是一個有趣的措施。雖然持續的記憶體短缺促使了這一轉變，但它也可能為未來更標準的SoC（系統級晶片）採用封裝內解決方案鋪平道路，我們上一次看到這種方案是在Intel的Lunar Lake（x86架構）上。 Versal採用Arm IP，但這種設計對於客製化SoC設計來說是一個不錯的選擇，可以應對未來幾年記憶體價格上漲的問題。

新聞稿： AMD 今天發布了 AMD Versal Premium Gen 2記憶體封裝 (MoP) 自對應系統級晶片 (SoC)。 MoP 架構將高達32GB的LPDDR5X記憶體整合到單一封裝中，在減少高達60%的電路板面積的同時，提供高達288GB/s的頻寬，使工程師能夠建立高頻寬系統，而無需承擔電路板級記憶體設計的風險和耗時。

• 封裝內整合高達32GB的LPDDR5X，無需添加外部DRAM即可提高記憶體頻寬。
• 提供高達288GB/s的頻寬，以確保AI推理、影片處理和網路安全工作負載的流暢運作。
• 與獨立式LPDDR5X設計相比，電路板面積減少了60%以上¹，有助於小型系統對應更狹小的空間和散熱環境。
• 透過將記憶體移至封裝內，實現了更小的PCIe、PXI和VPX部署。
• 縮小佔用空間並擴展頻寬
  

AMD憑藉這款採用封裝自對應SoC的新型記憶體，重新定義了小型系統設計的可能性。透過將LPDDR5X直接整合到封裝中，該元件在面積小於獨立LPDDR5X的情況下，實現了比板載LPDDR5X更高的性能。

這為實現以往使用外部記憶體難以實現或不切實際的外形尺寸（例如企業和資料中心標準外形尺寸 (EDSFF) 和 3U VPX 系統）打開了大門，同時也幫助設計人員滿足電信和 VPX 要求，而這些要求通常是離散記憶體方法無法滿足的。

Versal Premium Gen 2 MoP裝置將CXL 3.1和PCIe 6.0整合於硬IP中，傳輸速度高達64Gb/s，與AMD EPYC™ CPU搭配使用時，可實現高速資料傳輸，加速資料密集型應用。我們透過支援高達9,000Mb/s的LPDDR5X以及與CXL記憶體池和擴充模組的連接，幫助系統架構師更靈活地擴展記憶體資源。

專為長期部署而設計
Versal Premium Gen 2 MoP自對應SoC專為嚴苛的物理環境和企業級AI環境而設計，支援-40攝氏度至110攝氏度的工業級運作。它們非常適合始終線上、任務關鍵型系統，在這些系統中性能和彈性必須齊頭並進。

Versal Premium Gen 2 MoP裝置採用LPDDR5X 技術，並提供超過 15 年的生命週期支持，有助於將產品可用性與高頻寬記憶體 (HBM) 更短的資料中心驅動的更新周期解耦，從而降低因記憶體生命週期結束或存取受限而導致的強制重新設計的風險。

PCIe 6.0中導入的PCIe完整性和資料加密 (IDE) 功能，透過在連結層保護傳輸中的數據，有助於抵禦物理攻擊。整合控制器中的DDR記憶體加密功能，無需佔用可程式邏輯資源即可保護靜態資料。 400G高速加密引擎支援高頻寬安全處理，在不犧牲吞吐量的前提下增強安全性。

Versal Premium Gen 2 MoP裝置包含一個預先驗證的封裝內LPDDR5X，無需在電路板上進行高速記憶體佈線，從而減少板級仿真和驗證，同時有助於縮短開發週期、降低設計風險並最大限度地減少代價高昂的重新設計。

AMD Versal Premium Gen 2 MoP設備將於2026年底開始提供樣品，預計明年下半年開始量產出貨。

消息來源