imec發表製程藍圖 2038年可望實現0.3nm製程

全球頂尖半導體與奈米技術研發創新中心：比利時微電子研究中心（IMEC）近日發表2026年製程技術藍圖，預測2038年可望實現0.3nm製程，並指出互補式場效電晶體（CFET）架構是突破下一代先進製程的核心技術。

此份IMEC技術藍圖由台積電、Intel、NVIDIA、AMD、三星、ASML等產業巨頭共同參與編制，清楚展示了未來晶片製造面臨的技術挑戰與發展規劃，業界分析認為，IMEC最新製程藍圖的發表，印證摩爾定律仍將繼續進化。

於技術細節方面，CFET電晶體透過將N型與P型電晶體垂直堆疊，而非傳統的平面並排布局，能夠顯著提升電晶體密度、降低功耗並改善效能，此項技術被認為是延續摩爾定律、突破2nm以下製程瓶頸的關鍵要徑。

台積電作為全球最大晶圓代工廠，已提前布局CFET電晶體技術研究，持續保持產業技術領先優勢，根據台積電之前公布的規劃，其計劃於2028-2030年間量產採用CFET技術的先進製程晶片。

值得一提的是，0.3nm製程已接近原子大小（矽原子直徑約0.2nm），而達成此一目標需要在材料科學、製造設備、架構設計等多個領域取得革命性突破。

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