三星宣布32層堆棧的TLC V-NAND快閃記憶體，850 Evo真的不遠了

三星之前發布的850 Pro 固態硬碟，首次使用了3D堆棧的V- NAND快閃記憶體，還是MLC規格的，但是三星欲說還休地透露了會存在TLC規格的V-NAND快閃記憶體。在剛剛開幕的PCM國際快閃記憶體會議上，三星正式宣布了3bit V-NAND快閃記憶體，也就是TLC V-NAND快閃記憶體，也是32層堆疊，這意味著840 Evo的繼任者850 Evo真的不遠了。

PCper網站證實了三星發布全球首款32層堆棧的TLC V-NAND快閃記憶體，其原理其實跟MLC V-NAND是一樣的，主要就是每cell單元儲存2bit還是3bit數據的差別，而V-NAND技術部分是差不多的。根據三星所述，TLC V-NAND快閃記憶體相比傳統的平面快閃記憶體的密度提升了1倍。

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