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作者: sxs112.tw
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    [業界新聞] 滿足高速設備需求,三星Toggle DDR 2.0介面快閃記憶體晶片投產

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    1#
    日前,三星電子正式宣佈,全球首款採用Toggle DDR 2.0高速介面的MLC NAND快閃記憶體晶片將正式投產。
    samsung_64g_mlc_nand_toggle.jpg

    首批三星新快閃記憶體晶片將採用20nm級別的製程,容量為64Gb(8GB)。據稱,Toggle DDR 2.0介面可以讓快閃記憶體晶片的讀寫頻寬提升至400Mbps,DDR 1.0介面標準僅有133Mbps,而SDR NAND快閃記憶體則更低為40Mbps。
    消息來源:Expreview

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