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作者: PC3
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    [情報] IBM成功開發自旋電子Racetrack Memory

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    PC3 發表於 2008-4-23 20:25:09 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
    IBM正式發表自旋電子技術的新型非揮發性記憶體Racetrack Memory。據了解，這種記憶體同時具備高性能、高穩定性等半導體優點，以及成本低、容量大等硬碟的特色。IBM表示，Racetrack Memory可在行動終端上儲存50萬首樂曲或3500部電影，相當於現有行動終端可儲存容量的約100倍。

    Racetrack Memory採用記錄在磁性材料中的位列（Bit Column）排列結構。沿垂直（或水平）於矽底板方向配置的磁性材料可大量記錄資訊，與以往的半導體記憶體相比，能夠以更小的晶片面積實現大容量。巨分析，採用沿著矽底板垂直方向配置磁性材料的構造，理論上可設置100個左右的位元，也就是沿著垂直方向可層疊100個磁性材料所形成的位元。磁性材料可在這100個區域中構成，並在各區域按磁化方向紀錄0與1資訊。

    在Racetrack Memory上，當增加向電流脈衝於磁性材料後，透過改變脈衝數可實現對特定位元的隨機存取。IBM此次成功開發出包含多個磁壁的磁性材料，並能夠利用磁壁移動對記憶體位元進行選擇、讀取與寫入等動作。


    連結
    https://www.hope.com.tw/News/ShowNews.asp?O=200804221849423989
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