近日,海力士(Hynix)宣佈其在韓國清州的300mm晶圓廠正式量產20nm的64Gb NAND快閃記憶體晶片。
海力士表示,與之前生產的32Gb快閃記憶體晶片相比,新的64Gb NAND快閃記憶體晶片容量密度增大一倍,而得益於20nm的製程,生產效率相比使用30nm的製程提升了60%,更容易滿足新一代儲存設備對小體積和大容量的需求。同時,海力士亦宣佈,通過結合以色列Anobit公司的Memory Signal Processing (MSPTM)技術,已經大大提高了30nm級別32Gb快閃記憶體晶片的性能和耐用性,而20nm級別64Gb的快閃記憶體晶片將會儘快引入相關技術。
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