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作者: wu.hn8401
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[儲存裝置] 三星NAND狂爆猛料:64層V-NAND、32TB SSD、1TB BGA硬碟

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wu.hn8401 發表於 2016-8-11 12:32:22 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
這幾天適逢FMS國際快閃記憶體會議,各大廠商都爆出了不少料,比如希捷的60TB硬碟、Facebook在研究的100TB QLC硬碟、美光/Intel的3D XPoint快閃記憶體等,NAND真正的老大三星反倒很沉默的樣子,不過今天三星一次性放出了諸多猛料——今年底三星將推出第四代V-NAND快閃記憶體,堆疊層數達到64層;容量可達32TB的2.5寸SSD硬碟、BGA封裝的SSD容量則能達到1TB,最後還有號稱性能突破NAND快閃記憶體天際的全新Z系列SSD。

v-nand.jpg

第四代V-NAND:堆疊層數64層

先說三星新一代V-NAND,三星是最早量產3D NAND快閃記憶體的公司,此前三星已經發展了三代V-NAND,堆疊層數分別是24、32及48層,64層堆疊是下一個目標,之前東芝、西數已經宣佈了64層堆疊的BiCS 3D快閃記憶體,搶了三星的風頭,不過在FMS會議上三星也正式宣佈今年底推出第四代V-NAND快閃記憶體,也是64層堆疊。
根據三星所說,第四代V-NAND快閃記憶體為TLC類型,64層堆疊,核心容量提高到512Gb,IO介面速度800Mbps。

按照計畫,今年Q4季度64層V-NAND快閃記憶體開始上市,三星自家全新的Z系列SSD就會使用這種快閃記憶體。

SSD容量繼續提升:32TB 2.5寸硬碟駕到
三星此前已經出貨了容量最大的15TB硬碟PM1633A,希捷在FMS會議上展示了60TB的SSD,不過這個還是概念產品,還是3.5寸規格的,真正的容量突破還得看三星——其SAS產品線開始引入核心容量512Gb的第四代V-NAND快閃記憶體,可以輕鬆堆疊出容量1TB到32TB的企業級硬碟,其中32TB的容量再次把SSD容量推向另一個巔峰,三星表示32TB硬碟將普通HDD硬碟的容量減少了40倍。

32TB SAS硬碟預計在2017年問世,三星的目標是2020年推出100TB的硬碟。

BGA封裝也有春天:1TB容量來了
除了2.5寸規格,三星在超小型SSD上也有大動作——單BGA封裝的SSD容量也有望達到1TB,而且性能也非常強大,讀取速度1500MB/s,寫入速度900MB/s,體積則比前代減少了50%,重量不到1克。

1TB BGA封裝的硬碟預計明年問世,而且會使用三星研發的FO-PLP(Fan-out Panel Level Packaging)扇出型封裝。

全新Z系列SSD:性能突破NAND極限
最後三星還宣佈了全新的Z系列SSD,號稱性能超越了現有NAND快閃記憶體極限,不過三星沒有給出具體指標,只說其性能比PM963更強,延遲低了4倍,讀取速度是後者的1.6倍——PM963硬碟的連續讀取速度是1600MB/s,算起來Z系列的連續讀取速度可達2.5GB/s。

三星的Z系列SSD也會使用第四代V-NAND快閃記憶體,預計明年上市。

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