ARM、賽靈思首發TSMC 7nm：2017年初流片，2018年上市

TSMC、三星不僅要爭搶10nm工藝，再下一代的7nm工藝更為重要，因為10nm節點被認為是低功耗型過渡工藝，7nm才是真正的高性能工藝，意義更重大。現在ARM宣佈已將Artisan物理IP內核授權給賽靈思（Xilinx）公司，製造工藝則是TSMC公司的7nm。該晶片明年初流片，不過2018年才會正式上市。

賽靈思是重要的FPGA晶片公司，也是TSMC公司的大客戶之一，TSMC的新工藝大多是FPGA晶片首發，這次合作也不例外。ARM授權賽靈思公司在TSMC公司的7nm工藝上使用自家的Artisan物理IP內核，後者是ARM開發的PGA（Power Grid Architect），可以優化積體電路的電源柵極，號稱減少10%的晶片面積，提升20%的面積利用率。

ARM、賽靈思首發TSMC的7nm工藝

根據ARM、賽靈思的資訊，該物理IP預計在明年初流片，2017年出樣給客戶，不過正式上市要等到2018年。這個時間點跟TSMC宣佈的7nm量產時間差不多，該公司之前多次強調會在2018年量產7nm工藝。

TSMC的7nm工藝優勢

那麼7nm工藝到底能帶來多大的提升？恰好TSMC這兩天公佈了部分7nm工藝細節，他們已經使用7nm工藝試產了256MB SRAM電路，cell單元面積只有0.027mm2，讀寫電壓0.5V，與16nm工藝相比速度可以提升40%，或者功耗降低65%。

不過TSMC這個對比中還隔了一個10nm，他們之前也公佈過與10nm工藝的對比，7nm工藝下電晶體速度提升20%，或者能耗降低40%。

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