三星 SAMSUNG 發佈 4Gb 容量 DDR3 記憶體晶片

消息來源︰SAMSUNG 官方頁面發佈新聞稿

https://tinyurl.com/bttuxy

（三星）宣佈研發出了業內首款4Gb容量的DDR3記憶體晶片。

這款記憶體晶片採用了50nm工藝制程具有更高的容量，但功耗卻比目前的DDR3記憶體更低

其標準工作電壓為1.35V，最大傳輸速度可達1.6GB/s。

這款4Gb DDR3記憶體晶片可應用在多個方面

可構成16GB容量的RDIMM或者8GB的UDIMM、SODIMM等

應用於伺服器、工作站以及桌面型電腦和筆記本電腦等領域

可構成16GB容量的RDIMM或者8GB的UDIMM、SODIMM等

應用於伺服器、工作站以及桌面型電腦和筆記本電腦等領域

而且還能夠通過dual-die封裝技術把容量擴增到最大32GB。

根據IDC（International Data Corporation）的調查

目前DDR3的市場份額為29%，預測到2011年將達到75%以上。