3D NAND快閃記憶體產量今年將超過2D NAND，但供應依然吃緊

全球性的NAND快閃記憶體缺貨已經影響了部分智慧手機公司，華為P10手機快閃記憶體事件的根源說到底也是因為UFS快閃記憶體缺貨導致的。往好的方面看，2017年下半年3D NAND快閃記憶體就會大量產出，Q4就能超過全球2D NAND快閃記憶體成為主流，不過壞的方面是全球NAND快閃記憶體供應依然吃緊。

Digitimes援引業界消息稱NAND快閃記憶體正在從2D NAND向3D NAND轉換，三星、美光、東芝都已經發布了64層堆棧的3D NAND快閃記憶體，SK Hynix則首發了72層堆棧的3D NAND快閃記憶體。原文表示今年下半年3D NAND快閃記憶體產能就會實質性增長，預計到Q4就能超過2D NAND快閃記憶體。

不過主要廠商的3D NAND快閃記憶體良率還不夠穩定，此外廠商把產能轉向3D NAND快閃記憶體也導致2D NAND快閃記憶體產能受影響，所以今年全球NAND快閃記憶體供應依然會吃緊，好在下半年的快閃記憶體短缺情況會有所緩解。

三星是目前3D NAND快閃記憶體良率最高的供應商，預計今年5月到6月份期間就會大幅提升3D NAND快閃記憶體產能。與此同時，預計其他廠商的3D NAND良率也會有實質性提升，2017年下半年出貨量會明顯增加，比如說美光，今年下半年就會量產64層堆棧的3D NAND快閃記憶體。

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