三星發佈Toggle DDR 4.0界面採用第五代V-NAND，限量生產開始

三星電子宣布，已經開始限量生產第五代V-NAND 3D堆疊快閃記憶體，同時擁有超大容量和超高速度。三星第五代V-NAND採用96層堆疊設計，是目前行業紀錄，內部整合了超過850億個3D TLC CTF儲存單元，每單元可保存3bit數據，單Die容量達256Gb(32GB)。

這些單元以金字塔結構堆積，並在每一層之間貫穿極微小的垂直通道孔洞，尺度僅有幾百微米寬。它還業內首次使用了Toggle DDR 4.0界面，在儲存與記憶體之間的數據傳輸率高達1.4Gbps，比上代64層堆疊提升了40％，同時電壓從1.8V降至1.2V，能效大大提高。

數據寫入延遲僅為500微秒，比上代提升30％，而讀取訊號反應時間也大幅縮短到50微秒。三星還透露正在1Tb(128GB)容量的QLC V-NAND顆粒。

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