三星2021年將推晶片新技術，性能提高35%能耗降50%

三星將於2021年向市場推出一項突破性的處理器技術，對最基本的電子元件進行根本性改造，使晶片性能提高35%，同時使能耗降低50%。據悉當地時間週二三星在於加州舉行的Samsung Foundry Forum上宣布，這項名為“環繞柵極”(gate all around，GAA)的技術能夠對晶片核心電晶體管進行重新設計和改造，使其更小更快。

圖示：三星的環繞柵極技術（GAA）能夠對晶片電晶體管進行重新設計

到2021年應用這種技術的晶片問世後將成為三星與Intel和TSMC等競爭對手的交手中邁出的重要一步。三星希望藉此加快晶片行業的發展步伐。近年來晶片行業一直難以克服極端小型化帶來的工程挑戰。國際商業戰略諮詢公司(International Business Strategies)首席執行官漢Handel Jones表示，三星強大的材料研究項目正在取得成效。

三星的進步將延長摩爾定律所描述的行業進步，確保我們的手機、手錶、汽車和家庭互聯設備能變得更智慧。在GAA技術的幫助下，至少在未來幾年，用戶可以期待出現更好的圖形處理技術、更智慧的人工智慧和其他計算方面的改進。

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