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作者: sxs112.tw
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[儲存裝置] Kioxia發布Twin BiCS新技術,PLC快閃記憶體越來越近了

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sxs112.tw 發表於 2019-12-17 21:34:45 | 顯示全部樓層 |閱讀模式
作為NADN技術的發明者,Kioxia(原來的Toshiba)在新一代快閃記憶體研發上再次甩開對手,率先推出了Twin BiCS FLASH技術,有望成為PLC的最佳搭檔。
Kioxia發布Twin BiCS新技術,PLC快閃記憶體越來越近了 - XFastest - article-1280x720.2692b34d.png
隨著3D快閃記憶體以及TLC、QLC快閃記憶體的普及,大容量SSD已經成為被桌上型、筆記型及數據中心市場廣為接受。為了進一步提高SSD容量、降低成本,快閃記憶體廠商開始推100+層堆棧的3D快閃記憶體,但是層數越多,製造難度也會增加,而且還要在每個單元內容納更多的儲存電位,挑戰很大。

Kioxia推出的Twin BiCS快閃記憶體是全球首個3D半圓形分裂浮柵極快閃記憶體單元,從這個比較拗口的專業名詞中可以看出它使用的技術主要有半圓形、分裂、浮柵極,簡單來說就是將傳統的浮柵極分裂為兩個對稱的半圓形柵極,利用曲率效應提高閃存P/E編程/擦除過程中的性能。雖然新型快閃記憶體中也有BiCS的字樣,但是現在的BiCS是採用CTP電荷捕捉原理的,在進入3D快閃記憶體時代之後,幾乎所有快閃記憶體廠商都轉向了製造更簡單的CTP技術而放棄了FG浮柵極技術,最後堅持的兩家廠商中——Micron在96層閃存之後也會放棄浮柵極技術,只有Intel還在堅持FG浮柵極技術,後者性能、可靠性更好,但是製造複雜。

Kioxia的Twin BiCS技術現在又回到了浮柵極技術路線上來了,未來有可能改變全球快閃記憶體技術的走向。對於Twin BiCS技術來說,優點還有一個,那就是分裂浮柵極減少了物理尺寸,使得使得同樣的單元里可以容納更多的電位——直白點說就是,Twin BiCS也給QLC之後的PLC鋪平了道路。

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