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作者: SeanChen
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[業界新聞] 三星正式推出業界首款第三代HBM2E記憶體,推動高性能計算系統的發展

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SeanChen 發表於 2020-2-5 18:52:25 | 顯示全部樓層 |閱讀模式
三星昨天宣佈推出業界首款第三代HBM2E記憶體,新的HBM2E記憶體由8顆16Gb的DRAM顆粒堆疊而成,單個封裝可以達到16GB的總容量,並且其擁有高達3.2Gbps的傳輸速率。

三星正式推出業界首款第三代HBM2E記憶體,推動高性能計算系統的發展 - XFastest - samsung-1.jpg

三星的這款HBM2E中可以堆疊8個1y nm制程的16Gb DRAM顆粒,內部連接使用的是TSV技術,不過8層這個數量並不是三星目前能夠做到的極限,在去年十月份的時候他們就已經宣佈了12層3D-TSV封裝工藝,我們未來肯定可以看到更大容量的單顆HBM記憶體。

HBM2E是HBM2的升級版標準,由JEDEC在2018年標準化,官方標準中它的單顆堆疊頻寬為307GB/s。而三星這次推出的新HBM2E在頻寬上面有比較明顯的提升,在默認的3.2Gbps下,單顆HBM2E就可以提供高達410GB/s的頻寬,另外三星內部測試中新的HBM2E可以達到的最高傳輸速率為4.2Gbps,此時的頻寬高達538GB/s,比上代產品高出75%。

實際上三星在去年三月份就已經發佈了這款產品,不過這次是宣佈它即將要進入量產。新的HBM2E預計在今年上半年進入量產環節,他們也會繼續提供老的第二代產品。目前消費級顯卡普遍放棄了高成本的HBM記憶體,選擇了成本更低但頻寬也足夠用的GDDR6,不過在高性能計算市場中,HBM已經佔據了很大的市場份額了,還有各種AI加速晶片也需要較高的記憶體頻寬,像NVIDIA的計算卡就普遍採用了HBM2作為顯存,新的HBM2E將會緩解記憶體方面的瓶頸,讓計算性能不再受限於記憶體。

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