(PR)SK hynix確認開發出世界上最快的HBM3e DRAM，並向NVIDIA及合作夥伴提供樣品

SK hynix已確認開發出世界上最快的HBM3e DRAM，現已提供給NVIDIA和其他客戶進行評估。

早在6月就有報導稱SK hynix已收到NVIDIA的下一代HBM3e DRAM樣品請求，當NVIDIA宣布其GH200 GPU配備增強型HBM3e DRAM時，該請求成為現實，每個晶片可提供高達5TB/s的頻寬。

新聞稿： SK hynix公司今天宣布成功開發出HBM3E，這是目前用於人工智慧應用的下一代最高規格DRAM，並表示客戶的樣品評估正在進行中。

該公司表示，HBM3E（HBM3的擴展版本）的成功開發得益於其作為業界唯一的HBM3大規模供應商的經驗。憑藉作為業界最大HBM產品供應商的經驗和量產準備水平，SK hynix計劃在明年上半年量產HBM3E，鞏固其在AI記憶體市場無與倫比的領導地位。

該公司表示最新產品不僅滿足業界最高的速度標準（AI既體產品的關鍵規格），而且所有類別都包括容量、散熱和用戶友好性。在速度方面HBM3E每秒可處理高達 1.15TB的數據，相當於每秒處理230多部5GB大小的FullHD電影。

此外該產品在最新產品上採用先進質量回流成型底部填充（MR-MUF**）尖端技術，散熱性能提高了10%。它還提供向後相容性***，甚至可以在為HBM3準備的系統上採用最新產品，而無需修改設計或結構。

** MR-MUF：將晶片附著到電路上並在堆疊晶片時用液體材料填充晶片之間的空間而不是鋪設薄膜以提高效率和散熱的製程

*** 向後相容性：無需修改設計即可實現新舊系統之間的互操作性的能力，特別是在訊息技術和計算領域。擁有向後相容性的新型記憶體產品允許繼續使用現有的CPU和GPU，而無需修改設計

NVIDIA超大規模和HPC計算副總裁Ian Buck表示：我們與SK hynix在高頻寬記憶體方面有著長期合作，以提供領先的加速計算解決方案。我們期待繼續與HBM3E 合作，提供下一代人工智慧計算。

SK hynix DRAM產品規劃主管Sungsoo Ryu表示，公司透過HBM3E的開發，進一步增強HBM產品陣容的完整性，鞏固了市場領導地位，在AI技術的發展中備受矚目。

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