SK hynix在台積電2025技術研討會上展示HBM4，彰顯其在AI記憶體領域的領先地位

4月23日SK hynix在美國加州聖克拉拉舉行的台積電2025北美技術研討會上，展示了包括HBM4在內的突破性記憶體解決方案。台積電北美技術研討會是台積電與全球合作夥伴分享最新技術和產品的年度盛會。今年SK hynix以記憶體，賦能AI與未來為主題參展，透過HBM解決方案、AI/資料中心解決方案等展區，凸顯其在AI記憶體領域的技術領先地位。

在HBM解決方案部分，SK hynix展示了其12層HBM4和16層HBM3E產品樣品。 12層HBM4是下一代HBM，每秒能夠處理超過2兆位元組 (TB) 的資料。今年3月該公司宣布已在全球率先向主要客戶供應HBM4樣品，並計劃在2025年下半年完成量產準備。此外搭載8層HBM3E的NVIDIA最新Blackwell GPU B100也在本次展區展出，同時也展示了TSV、Advanced MR-MUF等HBM關鍵技術的3D模型，吸引了許多參觀者的注意。
   
在AI/資料中心解決方案部分，SK hynix展示了其伺服器記憶體模組系列，包括RDIMM和MRDIMM產品。該部分展示了採用使用1c製程（10nm製程技術的第六代）打造的DDR5 DRAM的各種高效能伺服器模組。

值得注意的是SK hynix展出了一系列旨在增強AI和資料中心效能同時降低功耗的模組。其中包括速度為每秒12.8千兆位元 (Gbps) 且容量為64GB、96GB和256GB的 MRDIMM 系列； 64GB和96GB容量的RDIMM模組速度為8Gbps；以及256GB 3DS RDIMM。

在台積電2025北美技術研討會上，SK hynix的HBM4等新一代解決方案引起了業界人士的極大關注。透過與台積電等合作夥伴持續技術合作，成功量產其HBM系列，該公司旨在擴大AI記憶體生態系統並進一步鞏固其行業領先地位。

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