PR：SK hynix開發採用321層NAND的UFS 4.1解決方案

SK hynix公司今天宣布已開發出針對行動應用的採用全球最高321層1Tb三級單元4D NAND快閃記憶體的UFS 4.1解決方案產品。這項開發是在對NAND解決方案產品的高效能和低功耗要求不斷提高的背景下進行的，以確保設備上AI的穩定運作。該公司希望針對AI工作負載優化的UFS 4.1產品能夠幫助增強其在旗艦智慧型手機市場的記憶體領導地位。

隨著對設備上人工智慧的需求不斷增加，導致設備的運算能力和電池效率之間的平衡變得更加重要，行動市場現在要求行動裝置具有輕薄和低功耗的特性。與採用238層NAND的上一代產品相比，最新產品的功率效率提高了7%，厚度也從先前的1mm降至0.85mm，以對應超薄智慧型手機。

該產品還支援4300MB/s的資料傳輸速度，這是第四代UFS最快的順序讀取速度，同時透過將對多任務處理至關重要的隨機讀取和寫入速度分別提高15%和40%，提供一流的效能。立即提供設備上AI所需的數據以及更快的運行速度和應用程式的反應能力有望提升用戶體驗。

SK hynix計畫年內取得客戶認證，並從明年第一季開始大量出貨。該產品將提供兩種容量類型—512GB和1TB。

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