三星預計在 Exynos 2700 SOC 導入 SBS 封裝：改善 2nm 晶片散熱與頻寬瓶頸

SoC；也首度導入 HPB（Heat Pass Block）技術的 SOC，透過優化傳熱路徑來分散熱量，並結合高介電常數（High-k）材料提升散熱效率。

據傳三星考慮將 HPB 技術，授權予第三方廠商，用於他方 Android 陣營的智慧型手機 SoC。

根據外媒 Wccftech 報導，HPB 技術在 Exynos 2600 上的應用成效顯著，其熱穩定性表現優於 Snapdragon 8 Elite；然而，傳統 SoC 堆疊 DRAM 的封裝設計（Package on Package）僅能部分接觸散熱器，容易導致晶片層之間產生熱量積聚。

為此，三星計畫在即將推出的新款 SOC，即 Exynos 2700 上升級散熱設計，改採經過優化的 SBS（Side-by-Side）架構封裝。

SBS 架構採用的扇出型晶圓級封裝（FOWLP），可讓 SoC 與 DRAM 晶片並列配置的進行整合，隨後再將散熱模組完整覆蓋於兩者之上，藉此避免內部熱量堆積，進一步提升散熱效率。

這種設計能縮短 SoC 與 DRAM 之間的延遲，並將記憶體頻寬提升 30% 至 40%，同時獲得更好的能源效率表現。

此外，受惠於更先進的 SF2P 製程，預計 Exynos 2700 的效能將提升 12%、功耗降低 25%，且晶片面積縮小 8%，可為新世代行動裝置帶來更強悍的競爭力。

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