三星推出首款900層V-NAND原型，將兩個450層單元堆疊成一個，朝向1000層NAND邁出跨越式發展

三星距離其1000層V-NAND技術又更近了一步，目前已成功研製出首個900層原型，準備迎接與競爭對手的激烈競爭。

三星是儲存半導體領域的先驅。其V-NAND技術被認為是市場上最好的技術之一，早在2024年該公司就計劃推出採用新型鐵電材料的1000層NAND快閃記憶體。

根據ETNews報導三星利用CMB（單元多重鍵結）技術，成功研發出首款900層V-NAND技術。此技術將兩個450層單元堆疊封裝成單一裝置。憑藉900層V-NAND，三星將能夠大幅提升固態硬碟 (SSD) 等儲存解決方案的容量。固態硬碟廣泛應用於電腦領域的各個方面，包括企業級和客戶端設備，例如伺服器、桌上型電腦、筆記型電腦、智慧型手機等等。

根據半導體產業25日報導三星電子最近採用了單元多鍵合（CMB）技術，實現了900層V級NAND整合系統，該技術將兩個450層單元晶圓鍵合為一個。

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為了實現驚人的900層V-NAND，三星克服了許多障礙，晶圓翹曲是主要問題之一。但隨著上卡盤設計的推出，這個問題已解決。其他改進措施包括利用套刻校正技術解決錯位誤差。

目前SK Hynix在NAND快閃記憶體技術領域處於領先地位，因為它率先開發並推出了321層NAND快閃記憶體技術。 400層NAND快閃記憶體的研發工作也已在進行中，三星將採用垂直鍵合技術，而SK海力士則將採用混合鍵結技術。

同時中國長江儲存科技股份有限公司（YMTC）也在加速推進其NAND快閃記憶體計畫。該公司已推出294層和232層NAND快閃記憶體元件，並正在縮小與三星、SK海力士和美光等海外公司的差距。長江儲存也正在大力投資新建晶圓廠，計畫在人工智慧快速發展週期導致市場面臨巨大供需缺口的關鍵時期，使其晶圓產能翻倍。

堆疊式NAND快閃記憶體技術雖然能夠實現900層以上的儲存容量，但仍處於原型階段，不過它為未來的儲存擴展鋪平了道路。 1000層V-NAND快閃記憶體目前計劃於2030年發布，而400層以上的快閃記憶體將在未來幾年內陸續推出。

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