Intel計劃推出採用雙面供電的14A Gen2製程，以對抗台積電和三星的1.4nm製程

預計Intel的製程技術路線圖將推出採用雙面架構的14A製程最佳化版本。

台積電和三星將在未來幾年推出1.4nm製程產品，進一步加劇晶圓代工市場的競爭。台積電的A14晶圓廠將於明年投產，三星的目標是2029年實現1.4nm技術的量產。同時Intel也將在明年推出其突破性的14A技術，許多外部客戶正翹首以盼，希望體驗這家晶片龍頭重振旗鼓的晶圓代工和製造業務。

同時Intel正在考慮更新其製程技術路線圖。這些更新主要是為了因應即將到來的與台積電和三星的競爭。根據ETNews報導其中一項製程更新是全新的14A2製程。這項新技術將是標準14A過程的改進。

Intel 14A採用了 PowerDirect 技術，並增加了背向供電網路 (BSPDN)。 14A2製程將採用雙面架構，可同時從正面和背面供電。 14A基礎製程的M0間距將縮小至 28nm，而14A2將進一步縮小至21nm。

據業內人士透露Intel原本計劃在其1.4nm製程14A中應用專用於背向供電網絡 (BSPDN) 的PowerDirect技術；然而據報導Intel正在考慮在後續的14A2製程中導入一種雙面架構，該架構同時利用正面和背面供電。

透過ETNews

這將透過雙重曝光等改進措施來實現，這些改進措施還能提高電晶體密度。 14A的電晶體密度已經提升了30%，因此我們可以預期14A2的電晶體密度將進一步提高。

雖然這有助於提高高數值孔徑極紫外光刻設備的利用率，從而提升單機獲利能力，但21nm間距也帶來了一些問題，例如電阻增加。奈米矽通孔（nTSV）的設計也無法應付如此高的密度。為此據稱Intel採用了一種複合結構，該結構以BSPDN作為主要電源，同時也為正面金屬分配了一部分電源。

隨著運算和人工智慧需求爆炸性成長，半導體公司正全力以赴。台積電訂單堆積如山，晶片製造商開始關注其他代工廠，例如和三星。Intel信心倍增，但在半導體製造領域，尤其是在外部客戶面前，他們仍有許多需要證明的地方。 18A -P、14A以及最新的14A2等產品備受矚目。

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