DRAM廠虧損將超過營收

台系DRAM廠力晶、茂德等2008年第1季虧損金額恐將首度超過當季營收，創下半導體產業首例，至於南亞科虧損金額與營收間差距亦將縮小。半導體業者表示，即便在2001年全球DRAM市場非常不景氣時，這種虧損超過營收情況亦未曾發生，但2008年第1季對於台系DRAM廠而言，恐將面臨「做愈多、賠愈多」窘境，DRAM廠營運出現史無前例的慘況。

2007年第4季包括力晶、茂德及南亞科合計虧損約新台幣250億元，由於產能持續開出，價格又無法提升，各DRAM廠虧損將持續擴大。記憶體業者指出，2008年第1季力晶產出量將伴隨瑞晶R1廠產能續增，以及本身製程技術轉至70奈米，產能增加已難避免；茂德中科廠Fab 4產能亦持續開出，同樣無法避免產能增加；南亞科則在華亞科產能持續轉至70奈米製程，以及南亞科12吋廠產能續增，想看到產能降低是不可能任務。

值得注意的是，在2007年12月時，台DRAM廠單月營收與虧損金額已相當接近，其中，力晶12月營收為新台幣43億元，與虧損金額相去不遠，預期2008年第1季將可看見虧損金額正式超過營收。



至於茂德12月營收約為27億元，虧損金額目前初步估算為24億~25億元，而由於DRAM平均售價未能有效反彈，2008年第1季虧損金額可能會持續加大，直逼營收規模；至於南亞科12月營收初估約為31億元，儘管虧損金額還暫不會超過營收，不過，未來在DRAM售價仍無法改善情況下，虧損金額勢必將加速追上營收。

資料來源:digitimes