[情報] APOGEE DDR3 1066 SO-DIMM 記憶體模組

APOGEE DDR3 1066 1GB/2GB記憶體模組擁有高幅度的超頻空間，滿足專業玩家對於超頻的需求。


專業記憶體製造廠商華東承啟科技，因應銷售量日漸增長的筆記型電腦市場，領先推出APOGEE DDR3 1066 SO-DIMM筆記型電腦專用記憶體，為六月即將登場的新世代Intel Montevina Centrino 2筆電平台搶先鋪路。

APOGEE DDR3 1066 1GB/2GB SO-DIMM記憶體模組，採用CSP FBGA封裝技術，並遵循JEDEC所制訂的DDR3標準，採8 bit預取設計，運用DDR3提升頻寬的關鍵技術，在同樣的核心頻率中，提供較 DDR2 4bit預取設計多兩倍的頻寬。


環保及節能意識普及下，DDR3省電的特性值得消費者特別注意，尤其對筆記型電腦待機時間的延長大有助益，DDR3的工作電壓以1.5V設計，相較DDR2的1.8V，可節省約17%的耗電量。


APOGEE DDR3 1066 1GB/2GB記憶體模組擁有高幅度的超頻空間，滿足專業玩家對於超頻的需求，更增添了諸如CWD寫入延遲功能、Reset（重置）超省電功能、ZQ終端電阻校準功能、SRT可程式化溫度控制記憶體時脈功能、RASR局部Bank刷新功能等，這些新技術讓DDR3記憶體擁有更有效的資料讀寫，以及省電的效能。


放眼下一代筆電平台Intel Montevina Centrino 2，以45nm Penryn核心為處理器根基，前端匯流排進化到1066 MHz，並引進全新主要晶片組，對此全新規格，華東承啟已經做好專業的準備，與消費者一同迎接筆記型電腦的應用新世代。

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