抗衡台積電高昂成本！SK 海力士評估將 HBM4E 基礎晶片，部分委由 Intel 代工

隨著人工智慧 AI 市場火熱，也讓高頻寬記憶體（HBM）的需求激增，南韓記憶體大廠 SK 海力士（SK hynix）正積極擘劃次世代產品佈局。市場傳出，SK 海力士評估最快自第七代 HBM4E 產品起，將部分基礎裸晶（Base Die）的生產訂單交由英特爾代工（Intel Foundry），期望藉由建立多供應商體系，降低對台積電（TSMC）的單一依賴，並兼顧生產成本與供應鏈穩定性。

邏輯製程成本飆漲，台積電 Base Die 價格成重擔

SK 海力士早在 2024 年便與台積電簽署合作備忘錄（MOU），在 HBM 先進封裝與邏輯層整合上展開密切合作。從 HBM4 世代開始，為解決高效能運算（HPC）中的散熱、訊號延遲與能源效率問題，底層 Base Die 已從傳統記憶體製程轉向晶圓代工廠的邏輯製程。

在生產配置上，SK 海力士採用成熟的 1b nm（第五代 10 奈米級）製程製造 HBM4 所需的 DRAM 核心裸晶（Core Die），以確保量產良率。然而在台積電代工的 Base Die 部分，主要採用 12 奈米製程，其生產成本估計已達 SK 海力士自產 DRAM 核心晶片的 3 至 4 倍。相較於具備自家晶圓代工產能、擁有整合成本優勢的三星電子（Samsung），SK 海力士面臨顯著的定價壓力。進入 HBM4E 世代後，隨著邏輯功能進一步複雜化，製造成本差距恐將持續擴大。

分散供應鏈風險，強化客製化 HBM 議價彈性

由於高階 HBM 產品普遍簽訂中長期供貨合約（LTA），晶圓代工成本的提升難以在短期內轉嫁給客戶。業界分析，若英特爾能成功分擔部分 Base Die 產能，SK 海力士不僅能取得更大的成本管控空間與談判籌碼，亦能有效分散地緣政治與產能集中的供應鏈風險。

此外，為應對 HBM4E 邁向高度客製化的市場趨勢，SK 海力士近期已在美國加州聖荷西（San Jose）組建 HBM 架構設計團隊，就近為北美重量級 CSP 與晶片客戶提供客製化架構的即時技術支援，全面深化全週期的產品協同開發。

針對市場傳聞，SK 海力士官方則回應表示，公司難以確認技術藍圖的具體細節，並強調相關報導「部分內容與事實不符」。

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